Onsemi 發(fā)布了升級版系列電源模塊，以促進公用事業(yè)規(guī)模的太陽能發(fā)電和存儲。

新產品線采用 F5BP 封裝中的硅和碳化硅混合功率集成模塊 (PIM) 組成，可與太陽能串式逆變器或儲能系統(tǒng) (ESS) 應用集成。

該公司在一份聲明中表示：“F5BP-PIM 與 1050V FS7 IGBT 和 1200V D3 EliteSiC 二極管集成在一起，形成了一個基礎，有助于實現高壓和大電流功率轉換，同時降低功耗并提高可靠性。”“FS7 IGBT 具有低關斷損耗，可將開關損耗降低高達 8%，而 EliteSiC 二極管與前幾代產品相比，具有出色的開關性能，電壓閃爍降低了 15%。”

PIM 采用 I 型中性點鉗位 (INPC) 設計(用于逆變器模塊)和飛跨電容器拓撲(用于升壓模塊)。它們還具有優(yōu)化的電氣布局和先進的直接粘合銅 (DBC) 基板，可降低雜散電感和熱阻，從而提高性能。

Onsemi 補充道：“銅基板進一步降低了散熱器的熱阻 9.3%，確保模塊在高運行負荷下保持冷卻。這種熱管理對于保持模塊的效率和壽命至關重要，使其在需要可靠和持續(xù)供電的苛刻應用中非常有效。”

這些模塊在開關條件下的工作溫度范圍為 -40 C 至 150 C，存儲時可承受高達 125 C 的溫度。每個模塊重 245 克，采用焊針，不含鉛 (Pb) 和鹵化物，與早期型號相比，功率密度和效率更高。這一改進使太陽能逆變器系統(tǒng)的功率在相同的占地面積內從 300 kW 增加到 350 kW。

該公司表示：“這意味著，使用最新一代模塊的 1 千兆瓦 (GW) 容量公用事業(yè)規(guī)模太陽能發(fā)電場每小時可節(jié)省近 2 兆瓦的能源，相當于每年為 700 多戶家庭供電。此外，與上一代產品相比，實現相同功率閾值所需的模塊更少，這可以將電力設備組件成本降低 25% 以上。”