意大利國家研究委員會微電子與微系統(tǒng)研究所(CNR-IMM)開展了一項研究，發(fā)現(xiàn)在硅襯底上拓撲生長的絕緣體——碲化銻(Sb2Te3)中，純自旋電流和“傳統(tǒng)”電流之間的轉換效率很高。相關成果發(fā)表在《Advanced Functional Materials》《Advanced Materials Interfaces》上。

拓撲絕緣體的特點是內(nèi)部不導電，而具有金屬特性的電流可沿著其邊緣和表面流動。在這種電流中，電子沿著確定的方向自旋。自旋電子學這一電子學分支將電子自旋視為可用于開發(fā)計算和信息存儲新設備的重要資源?？梢允褂迷谕負浣^緣體表面流動的所謂的“自旋極化”電流來操縱與其接觸的材料的磁態(tài)，傳輸“自旋相關”的信息，提高電導率并降低能源成本。在這種情況下，優(yōu)化純自旋電流和“傳統(tǒng)”充電電流之間的轉換具有特殊的意義。

注：本文摘自國外相關研究報道，文章內(nèi)容不代表本網(wǎng)站觀點和立場，僅供參考。